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芯联集成推出3300V SiC MOSFET
6 小时前
芯联集成依托自研8英寸碳化硅工艺平台，正式推出面向固态变压器等高压场景的3300V SiC MOSFET器件，目前已向核心客户送样验证。该产品采用高压平面栅技术，通过优化单元面积和导通电阻-栅电荷优值，实现导通与开关性能的平衡。以10kV中压固态变压器前端为例，相比1200V方案，3300V器件可使母线电压提升至1800~2200V，级联数量减少60%，功率单元及MOSFET总量同步减少60%，外围器件减少约70%，PCB设计简化，综合系统级BOM成本降低20%～35%，为固态变压器向更高开关频率、更小体积和更高转换效率演进提供核心支撑。芯联集成已完成650V至3300V全电压段SiC MOSFET产品布局，新一代SiC G2.0工艺平台在能效与可靠性上实现突破，8英寸SiC产线已实现大规模量产。随着AI算力需求增长和固态变压器市场起量，高压SiC器件量产需求明确，芯联集成正以该产品撬动固态变压器蓝海市场，推动国产高压SiC器件从‘追赶者’向‘定义者’转变。
