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东芝推出采用最新一代工艺的 80V N 沟道功率 MOSFET
3 小时前
东芝推出采用最新U-MOS11-H工艺的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH，面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源，即日起出货。该产品最高漏源通态电阻1.4毫欧，较上一代降低约26%，品质因数RDS(ON)×Qg降低约45%，采用SOP Advance(E)封装，可抑制开关尖峰电压、降低电磁干扰。
