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北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心在IEEE ISPSD 2026发表3项宽禁带半导体功率器件重要技术进展
12 小时前
近日，功率半导体器件领域的顶级会议IEEE ISPSD在美国拉斯维加斯召开。北京大学集成电路学院有三篇高水平论文入选，向国际同行展示了其最新研究成果，内容涵盖GaN HEMT器件栅极可靠性、超高压GaN横向整流器及集成型GaN双向器件。
