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英特尔专利曝光新型XBM内存架构，拟绕开HBM硅中介层降低AI内存成本
9 小时前
7月8日消息，英特尔近日公开一项专利申请，显示其正研发名为XBM（扩展带宽内存）的新型高带宽内存架构。该架构旨在替代HBM4，通过取消硅中介层、采用UCIe互连及内置冗余修复机制，降低先进封装成本，并缓解AI芯片的“内存墙”瓶颈。XBM采用后端晶体管（BEOL）DRAM堆叠设计，在保持与HBM4相近封装尺寸的同时，提升可扩展性，并支持缺陷修复以提高良率。其核心革新在于重构芯片底层架构，将1T1C存储单元转移至后段制程，布置在晶体管上层的金属通孔堆叠区域，并采用薄膜晶体管工艺。此外，英特尔还推出封装集成内存（MoP）与反向悬垂结构，优化Z轴堆叠高度，实现更小体积、更低成本的封装形态。XBM预计商业化时间在2030年之后。
