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消息称 SK 海力士计划重启大连二厂扩建工程，将生产 238 层 NAND 闪存芯片
10 小时前
SK海力士将借向中国大连第二工厂引进设备之机，推进全新生产线投资建设，计划今年下半年搬入设备，明年上半年分阶段完成设施建设。此前，大连第一工厂已完成192层NAND闪存产线升级及老化设备更换。大连第二工厂曾因行业遇冷，暂缓2022年投资计划，现因AI数据中心普及带动NAND闪存需求增长，重启可能性增大，企业正积极筹备全面投资，去年还大幅追加注资。目前，部分韩国本土供应商正搬迁闲置设备，海外制造商已收到初步采购订单。该工厂今年下半年将新增一条238层NAND闪存的V8生产线，月产能目标为3万至5万片晶圆。
