搜索
Tower Semiconductor 获日本经济产业省支持，宣布在日本实施产能战略扩产
6 小时前
MIGDAL HAEMEK，以色列，2026年7月14日——高价值模拟半导体代工龙头企业Tower Semiconductor宣布，在日本政府支持下，将启动双轨战略扩产计划，重点扩大300毫米硅光子（SiPho）、硅锗（SiGe）及先进封装产能。项目总投资约30亿美元，其中日本政府提供10亿美元补助。第一阶段将改造位于日本新潟县的原Fab 6工厂，建设12英寸硅光子及先进封装产线，预计2027年第四季度全面量产。第二阶段将在富山县鱼津Fab 7工厂旁新建一座12英寸晶圆厂，预计2029年开始贡献盈利。此次扩产旨在满足AI、数据中心等新兴应用对高速光互连技术的持续增长需求，并支撑下一代高速光互连技术发展。基于第一阶段扩产带来的增长前景，Tower同步更新了业务发展目标，计划于2028年实现36亿美元营收和12亿美元净利润。
