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绕过美国HBM禁令 华虹与长鑫存储等中企押注定制化DRAM以寻找突破口
1 小时前
受美国出口管制影响，中国内存芯片巨头长鑫存储获取高带宽内存（HBM）先进设备受阻，难以在主流AI内存市场与国际巨头直接竞争。不过，长鑫存储正尝试通过转向“定制化DRAM”寻求突破。2026年7月，韩媒确认长鑫在合肥启动键合DRAM研发线，目标是用DUV设备配合多重曝光工艺，制造10纳米级高性能DRAM，绕过美国出口管制。产能方面，长鑫合肥工厂12英寸晶圆月产能已突破30万片（2026年上半年），年底目标达35-40万片。除键合DRAM外，长鑫还将20%产线转为HBM专用，全力冲击HBM3/HBM3E市场。此外，美国半导体分析机构SemiAnalysis报告指出，长鑫存储有望在2026年底超越美光，成为全球第三大DRAM供应商。
