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进一步增强逻辑性能：三星电子计划在 HBM5 内存导入 2nm 基础裸片
4 小时前
三星计划在HBM5世代采用2nm基础裸片，其运行速率预计比HBM4E提升超50%。该基础裸片支持更高密度的硅通孔，可显著改进性能和能效。此前，三星HBM4和HBM4E均采用4nm基础裸片，其中HBM4E通过应用高密度、超高性能器件实现14+Gbps高速运行，还通过优化金属层排列降低功耗、改善散热路径。
