半导体激光器是现代光电子技术的关键器件,但其异质集成受限于严格的晶格匹配条件。二维半导体(如单层二硫化钨)因表面无悬挂键,可实现无键合异质集成;其强激子效应能在原子级厚度内提供高效光增益,为超低阈值纳米激光器的实现提供了新途径。然而,尽管已有实验展示二维半导体激光器,但进一步降低激光阈值仍面临两大挑战:一是传统光学微腔难以同时实现超小模式体积和超高品质因子;二是微腔与二维半导体界面会引发强介电屏蔽效应和缺陷辅助非辐射复合,抑制单层材料的激子发光。