据ZDNET Korea报道,SK海力士正积极推进极紫外光刻(EUV)技术,旨在实现下一代DRAM的量产。公司于去年首次引入高数值孔径(High-NA)EUV设备,并已于今年全面启动相关技术研发。为提升EUV光刻性能,SK海力士已开始全面引入相移掩模(PSM)等新型材料。