搜索
全球首个！深圳平湖实验室GaN-on-SiC工艺平台取得新突破
6 小时前
8月20日，深圳平湖实验室宣布在氮化镓领域取得重大突破，成功推出全球首个8英寸碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）增强型HEMT工艺平台。该平台依托实验室科研与中试一体化优势，攻克了多项关键技术，全面验证了8英寸GaN-on-SiC技术的产业化可行性，为第三代半导体GaN/SiC集成发展奠定了坚实基础。
