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SK海力士披露下一代HBM先进封装技术：引入英特尔EMIB通向未来3D结构
16 小时前
SK海力士正为其下一代高带宽内存（HBM）引入英特尔EMIB等先进封装技术，并计划最终实现3D封装。在2026年Hot Chips大会上，SK海力士封装工程副总裁Jaesik Lee发表了题为“高带宽内存的先进封装”的简报，详细阐述了公司如何利用先进封装技术推动HBM产品发展。当前HBM通过硅通孔（TSV）实现3D堆叠，最高可达16层。相比传统GDDR6，HBM3E在节省空间的同时，可提供高达144GB容量和4TB/s带宽。SK海力士的HBM4将具备24Gb DRAM密度和36GB总容量，IO速度达8Gbps，带宽超2TB/s，功耗降低40%以上。为应对带宽需求激增带来的挑战，SK海力士正探索混合键合等未来方法，以突破16层堆叠限制。此外，公司还计划通过增加TSV数量、提高逻辑工艺集成IO速度及优化电源分配网络来解决功耗问题。值得注意的是，SK海力士在其2.5D HBM解决方案中提及了英特尔EMIB封装技术，并传闻将与英特尔在内存领域展开合作。展望未来，SK海力士正着眼于3D集成技术，期望将HBM直接堆叠在加速器之上。
