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SK海力士正在为其下一代HBM方案引入先进封装技术
6 小时前
SK海力士正为其下一代高带宽内存（HBM）解决方案引入先进封装技术，包括英特尔的EMIB技术，并计划最终实现3D封装。在2026年Hot Chips大会上，SK海力士封装工程副总裁Jaesik Lee发表了关于“高带宽内存的先进封装”的报告，阐述了公司如何利用这些技术加速HBM产品发展。目前，SK海力士正探索混合键合等方法，以突破16层堆叠限制。未来，公司还计划通过增加硅通孔（TSV）数量、提高逻辑工艺集成的输入输出（IO）速度，以及优化电源分配网络（PDN）来应对功耗挑战。
