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三星确认HBM4E单针速率将达16Gbps 单堆栈带宽有望突破4TB/s
2 小时前
在Hot Chips 2026大会预告中，三星电子负责人Sangwook Han确认，公司将推出单针传输速率达16Gbps的HBM4E高带宽存储器。自今年5月底以来，三星已开始供应单针速率为14Gbps的HBM4E产品，如今确认向16Gbps迈进。目前三星供应的HBM4产品单针速率为11.7Gbps，HBM4E传输速度明显提升。以14Gbps规格计算，单个HBM4E堆栈配备2048个引脚时，理论最高带宽可达3.6TB/s，单针速率提升至16Gbps后，单堆栈最高带宽将增至4TB/s。容量方面，三星目前可提供12层堆叠、单堆栈容量为48GB的HBM4E产品，还计划推出8层32GB和16层64GB版本。在制造技术上，三星HBM4E采用第六代10纳米级工艺，并搭载基于三星4纳米SF4工艺打造的定制化基础裸片。
