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英特尔18A-P工艺量产硅片实测：0.5V电压下频率提升30%
7 小时前
Hot Chips大会上，英特尔披露了18A-P制程工艺的更多详情。该工艺采用环绕式栅极（GAA）晶体管、背面供电（GAA-BSPD）及Power Boost技术，并增设金属层数。在低电压下，该工艺可使x86量产硅片运行频率提升高达30%。
