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三星正为英伟达开发8层HBM4E
1 小时前
8月31日消息，据韩国媒体报道，三星电子正根据英伟达要求开发8层第七代高带宽存储器（HBM4E），相比原计划的12层、16层方案，堆叠高度显著降低。英伟达提出的速度规格为17-18Gbps，较三星初期HBM4E样品速度（14.4Gbps）高出约20%，该产品将用于NVHBM。
