新型氮化镓晶体管耐压能力近四千伏 - 芯片 - JQman

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新型氮化镓晶体管耐压能力近四千伏

2 天前

瑞士洛桑联邦理工学院研究人员研制出新型氮化镓晶体管，其耐压近4000伏且电阻较低，有望应用于AI数据中心、可再生能源系统及电动汽车等高压电力电子领域。

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