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报道：铠侠计划以升级版 NAND 替代部分 DRAM
5 小时前
近日，铠侠宣布将推出专为AI工作负载设计的CXL内存扩展模组。该模组基于XL-FLASH闪存技术，可将NAND闪存数据读取时间大幅缩短至传统产品的1/10以下，性能更接近DRAM。若用其取代部分DRAM，内存容量可提升至2倍，性能提升30%。该模组旨在缓解数据中心内存容量紧张与成本攀升的挑战，通过智能数据分层管理，将低频访问数据迁移至XL-FLASH，从而提升DRAM利用率，优化整体系统性能。
