搜索
消息称1c nm有望2027年初成为SK海力士主流工艺
1 小时前
9月7日消息，SK海力士正加速扩大其第六代10nm级DRAM工艺1c nm的产能份额。由于1c DRAM将作为核心芯片堆叠HBM，并用于下一代高带宽内存，该公司正加快工艺转型。据业内人士透露，SK海力士1c DRAM市场份额从今年第一季度的约10%增至第二季度的13%，预计第三季度将达24%，第四季度将达34%。明年第一季度，1c nm市场份额有望攀升至35%左右，首次超过1b（约33%），成为主流工艺。
