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传长鑫存储正筹备进军NAND闪存市场
2 小时前
据行业研究机构及供应链消息，中国DRAM龙头长鑫存储正筹备进军NAND闪存领域，计划在北京建厂并设立研究院推进NAND技术研发。此举标志着长鑫存储正从DRAM供应商向全品类存储芯片巨头转型，有望丰富其产品线并重塑全球存储市场竞争格局。目前，长鑫存储已与客户就NAND闪存计划展开沟通，但研发产线投产时间及大规模商业化量产时间尚未明确。长鑫存储当前主营DRAM内存业务，产能居中国第一、全球第四。此番布局NAND闪存，将使其业务向存储全品类方向拓展。
