搜索
长鑫存储第五代DRAM平台正式量产 挑战全球三大巨头格局
2 小时前
2026年9月20日，在2026世界制造业大会上，长鑫存储宣布其第五代DRAM技术平台（G5平台）正式量产，同步展出两款基于该平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24GB，较上一代提升50%，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等场景需求。G5平台依托创新的四重曝光技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，存储电容深宽比达45:1，核心功能区高度缩小至6762纳米，工艺水平比肩行业顶尖。该平台的量产标志着长鑫存储在高端存储技术上取得里程碑式突破，将推动存储密度跨越式提升，并为全球存储产业提供更具创新性和供应链韧性的解决方案。
