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长鑫G5量产 通用DRAM工艺逼近国际一线
1 天前
9月21日消息，长鑫科技于9月20日宣布，其第五代DRAM工艺平台G5已正式进入量产阶段。这一进展意味着国产通用DRAM在理论工艺密度上已与国际一线水平相当，同时大幅提升了长鑫科技在主流市场的成本竞争力和定价权。G5平台采用四重曝光技术，在DUV体系下实现了存储位密度较上一代提升50%，晶圆裸片产出显著增加。在当前存储市场景气上行、供给紧张的背景下，这一突破为长鑫科技进入国产旗舰手机供应链提供了有力支持。在DDR5、LPDDR5X等通用领域，长鑫科技已具备全球成本竞争的实力。此外，随着G5平台的扩产，国产半导体设备占比有望超40%，将直接带动刻蚀、薄膜沉积等环节的设备采购，为上游供应商带来业绩增长。
