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长鑫G6内存面积再缩30% 键合工艺首次登场
3 小时前
近日，国产DRAM厂商长鑫科技的下一代内存技术平台G6的技术指标预测曝光。该方案指出，长鑫科技将继续采用DUV光刻工艺生产G6代内存，预计最快2028年面世。与G5代相比，G6代芯片单元面积将从0.00128205平方微米缩减至0.000896平方微米，缩减幅度达30%。
