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中国长鑫存储4F² DDR5内存技术遭华尔街分析师质疑：年内推出不等于领先三星两年 良率才是关键
3 小时前
中国存储芯片制造商长鑫存储近日宣布，计划在2026年底前推出采用4F²存储单元架构的DDR5 RDIMM服务器内存产品。4F²架构通过垂直包围栅（VSG）晶体管技术，将存储单元面积缩小至4倍最小特征尺寸的平方，单位面积晶体管数量显著增加，存储密度提升30%至50%。该架构采用DRAM与CMOS工艺解耦及晶圆级混合键合技术，突破了传统6F²架构的物理极限，解决了漏电与短沟道效应问题，同时降低了功耗。长鑫存储的这一进展可能使其在商业化进度上领先三星电子约两年，引发全球存储产业高度关注。DDR5 RDIMM产品需满足服务器7×24小时不间断运行、带电热插拔、跨平台兼容性等严苛要求，长鑫存储的技术突破不仅提升了其市场竞争力，也为中国存储产业向更先进技术节点迈进奠定了基础。
