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内部测试发现发热问题 骁龙8 Elite Extreme Gen 6或面临进一步优化压力
11 小时前
高通最新旗舰芯片骁龙8 Elite Extreme Gen 6（民间称骁龙8 EE6）采用台积电2纳米工艺，但在三星内部测试中，该芯片在高负载运行时出现过热问题，导致性能衰减。三星已将测试结果反馈给高通，要求其在2026年10月中旬前改进。目前，双方仍在优化并重新测试。若问题未解决，三星或改用自研Exynos 2700芯片。此前少量用户反馈骁龙8 EE6偶发黑屏、重启，但经OTA更新后，问题已基本解决，且性能未受影响。
