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韩媒：三星将采用台积电技术为英伟达生产下一代内存芯片
3 小时前
10月18日，据《首尔经济日报》报道，三星电子将采用台积电3纳米制程，为英伟达下一代定制HBM芯片生产基底裸片，这将是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。报道称，英伟达已要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电工艺制造NVHBM基底裸片，并采用第六代DRAM技术制造核心芯片。今年8月发布的NVHBM将英伟达的定制内存控制器集成到基片中，旨在实现跨多家内存供应商的标准化。三星在内部评估后接受了英伟达的要求，但计划继续以自主生产模式生产标准HBM及面向其他客户的定制产品。此外，三星还在评估，若需求超出台积电产能，其自有代工厂能否生产NVHBM基底裸片。
