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消息称三星将采用台积电 3nm 制程为英伟达生产 HBM 基底裸片
3 小时前
三星电子将采用台积电3纳米制程，为英伟达下一代定制HBM芯片生产基底裸片，这是三星首次在HBM制造阶段与台积电携手合作。此前，英伟达已要求三星、SK海力士、美光采用台积电工艺制造NVHBM基底裸片，并以第六代DRAM技术制造核心芯片。今年8月发布的NVHBM将英伟达定制内存控制器集成到基片中，以实现跨多家内存供应商的标准化。三星经内部评估后接受了这一要求，同时计划继续以自主生产模式生产标准HBM及面向其他客户的定制产品。此外，三星还在评估，若需求超出台积电产能，其自有代工厂能否生产NVHBM基底裸片。
