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SK海力士加速部署iHBM技术 新一代HBM散热能力提升30%
6 小时前
2026年5月26日，韩国存储芯片巨头SK海力士宣布推出iHBM技术。该技术通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE”，直接在发热最集中的D2D PHY区域构建专用热量排出通道，将热阻降低30%以上，从而显著降低产品运行时的发热量。iHBM采用成熟的MR-MUF晶圆级封装工艺，可实现稳定规模化量产，并与客户现有系统级封装环境高度兼容，无需大规模设计改动即可部署。SK海力士计划将iHBM技术应用于HBM5等下一代产品，以满足高性能计算（HPC）、AI数据中心等超高度集成、高带宽应用场景的散热需求。随着AI算力需求的持续增长，HBM通过增加堆栈层数和提升运行速度来提升性能，但也因此面临发热量大幅攀升的难题。iHBM技术的出现，为解决这一问题提供了有效方案，有望进一步提升整体系统的稳定性与运行效率。
