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消息称三星电子计划明年初完成先进封装技术「3D Cube-H」开发
5 小时前
三星电子计划明年初完成面向超高性能AI芯片的先进封装3D Cube-H开发，该技术采用混合键合，端子间距约6μm，远小于传统热压键合的25μm，可提升连接密度、降低每比特能耗并改善散热。推出首个设计套件后，公司将与潜在客户开展评估，若开发成功，有望为晶圆代工业务争取大客户订单。
