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三安半导体“碳化硅复合籽晶及晶体生长装置”专利获授权
2024-12-13
湖南三安半导体有限责任公司近日获得“碳化硅复合籽晶及晶体生长装置”专利，授权公告号CN221918322U，该专利旨在通过特定的籽晶结构减少碳化硅晶体的缺陷。该专利的申请日期为2023年11月30日，并于2024年10月29日正式授权公告。
