华虹宏力“双自对准MOSFET的制造方法”专利公布 - 芯片

Just Quick Just Quality

热门话题

白天

搜索

资讯

华虹宏力“双自对准MOSFET的制造方法”专利公布

2024-12-26

上海华虹宏力半导体制造有限公司的“双自对准MOSFET的制造方法”专利已公布，申请公布号为CN118969617A，公布日期为2024年11月15日。该专利无需接触孔硅刻蚀即可将阱区引出，可降低接触孔光刻偏移对器件的不良影响。

上一篇：储能行业将召开防止内卷式竞争闭门研讨会，近30家企业参与

下一篇：千余只基金12月以来分红近400亿元

返回列表

热文阅读

2 天前

汽车进口半年骤减32%，豪华油车生意被抢

2 天前

大疆降到地面，影石飞向天空

2 天前

碰撞营销陷阱：车硬不等于安全｜工程师来信

2 天前

妈，请不要再用 AI 给我发消息了

2 天前

“偏执狂”而生的英特尔，这些年为什么「全错」？

2 天前

没造过燃油车的小鹏，凭什么和大众一起造燃油车？

2 天前

马斯克对内动刀，超算团队整合，全力投向智驾芯片研发

2 天前

Pixel 发布会前瞻：把大家喊出来，就是为了这点事呀？

2 天前

从B端之痛到流量陷阱，谁来“救赎”哪吒汽车？

2 天前

莫迪宣布印度首款“国产芯片”年底面世

上一篇：储能行业将召开防止内卷式竞争闭门研讨会，近30家企业参与

下一篇：千余只基金12月以来分红近400亿元

Just Quick Just Quality

发现

资讯话题

热门话题

7 x 24跟踪全球科技动态

快讯

资讯

视频

关于我们