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三星 3D NAND 量产提效：光刻胶用量减半，每年节省数十亿韩元
2024-11-26
三星电子在3D NAND闪存生产的光刻工艺领域取得技术突破。公司成功减少了光刻胶的使用量，并通过优化涂层后的蚀刻工艺，将每层所需光刻胶量从7-8cc降至4-4.5cc。此外，三星还引入了更厚的氟化氪光刻胶，可一次性形成多个层，从而提升了生产效率。自2013年起，三星与东进半导体化学公司合作，共同研发高性能光刻胶。东进半导体为三星多代3D NAND产品提供了关键材料。从第9代3D NAND开始，三星将全面应用这一新技术，旨在提高生产效率并节省成本。然而，这一变化可能会导致东进半导体的光刻胶订单量有所减少。
