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联发科宣布首款2纳米芯片已完成流片，2026年底量产
3 小时前
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来源：集微网
联发科宣布首款采用台积电2纳米制程的旗舰SoC完成设计流片，预计2026年底量产。该制程技术性能、功耗与良率更优，逻辑密度增加1.2倍，或为下一代天玑9系旗舰。
9月16日，联发科宣布，首款采用台积电2纳米制程的旗舰系统单芯片（SoC）已成功完成设计流片（Tape out），并预计2026年底进入量产并上市。
联发科指出，台积电的2纳米制程技术首次采用能够带来更优异的性能、功耗与良率的纳米片（Nanosheet）电晶体结构。台积电的增强版2纳米制程技术与现有的N3E制程相比，逻辑密度增加1.2倍，在相同功耗下性能提升高达18%，并能在相同速度下功耗减少约36%。
联发科表示，公司与台积电双方一直以来持续在旗舰移动平台、运算、车用、数据中心等应用领域，共同打造兼具高性能与高能效的芯片组，而此次合作更象征着联发科与台积公司坚实伙伴关系的全新里程碑。
虽然联发科并没有公布具体产品，但是从产品规划上来看，这或是下一代的天玑9系旗舰——天玑9600。（校对/赵月）
