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铠侠第10代闪存332层创纪录 容量、性能也都是世界第一
2025-02-21
铠侠与闪迪联合发布第十代BiCS 3D NAND闪存，该技术堆叠层数达332层，存储密度和接口速率性能均创新高。新闪存采用CBA双晶圆键合技术，将CMOS控制电路与NAND存储阵列分别制造后键合。与上一代相比，存储密度提升59%，接口速度增至4.8Gbps，提升33%。此外，新闪存还引入了PI-LTT低功耗技术，降低了功耗。铠侠目标是在2027年制造出1000层堆叠的3D闪存。
