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铠侠研发出332层NAND闪存，接口传输速度提升33%
2025-02-21
日本芯片制造商铠侠开发出新一代332层NAND闪存技术，存储容量提升59%，接口速度提高33%，同时功耗降低，数据传输效率显著提升。该技术采用CBA双晶圆键合技术，支持Toggle DDR 6.0接口标准，并整合了PI-LTT低功耗技术。新闪存预计在日本生产，旨在满足AI数据中心的高效能需求。此外，铠侠还在研发第九代闪存技术。
