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北京大学电子学院司佳-张志勇团队发明范霍夫冷源晶体管
12 小时前
随着集成电路向先进节点发展，降低功耗成为后摩尔时代信息处理系统的核心挑战。传统硅基金属-氧化物-半导体晶体管（MOSFET）的亚阈值摆幅（SS）受玻尔兹曼分布限制，室温下难以低于60mV/dec。这一物理极限导致工作电压Vdd无法进一步降低，功耗随器件尺寸缩小而趋于瓶颈。
