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打破20年技术僵局！西电团队攻克芯片散热世界难题
1 周前
长期以来，半导体领域存在一个根本性矛盾：尽管已知下一代材料性能更优，但如何制造却成难题。郝跃院士与张进成教授团队近日取得突破性进展，他们通过创新技术，将材料间的“岛状”连接转变为原子级平整的“薄膜”，显著提升了芯片的散热效率与综合性能。这一成果不仅打破了近二十年的技术瓶颈，更在科技前沿展现出巨大潜力，相关研究已发表于国际顶级期刊《自然·通讯》与《科学·进展》。
