搜索
国防科大研究团队在后摩尔芯片技术领域取得重要进展
5 小时前
近日，国防科技大学前沿交叉学科学院研究团队与合作单位共同宣布，在新型高性能二维半导体材料的晶圆级生长及可控掺杂技术上取得重大突破。该技术采用液态金/钨双金属薄膜为衬底的化学气相沉积法，成功实现了晶圆级、掺杂可调的单层WSi2N4薄膜的可控生长，生长速率较现有技术提升约千倍。该材料展现出优异的化学稳定性和载流子浓度可调特性，在二维半导体CMOS集成电路领域具有广阔应用前景，有望推动后摩尔时代芯片技术的自主可控发展。
