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新型高性能二维半导体材料研发获突破
4 小时前
4月9日讯，国防科技大学与中国科学院金属研究所联合团队在新型高性能二维半导体领域取得重要突破，通过液态金/钨双金属薄膜衬底的化学气相沉积法，实现晶圆级、掺杂可调的单层WSi2N4薄膜可控生长。该材料空穴迁移率高、化学性质稳定，综合性能突出，有望为后摩尔时代自主可控芯片技术提供关键材料支撑。相关成果已发表于《国家科学评论》。
