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三星电子加速研发下一代高带宽内存 首批HBM4E将于5月生产
3 小时前
三星电子正加速研发下一代高带宽内存HBM，计划于2026年5月生产出首批符合英伟达标准的HBM4E样品。其目标是在下月中旬前，由代工部门成功生产出HBM4E核心逻辑芯片样品，这些样品在完成内部性能评估后，将被送往英伟达进行验证。HBM4E将采用1c nm DRAM Die和4nm Base Die，工艺细节有所优化。
