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3D DRAM验证成功 AI内存将迎来革命
3 小时前
2026年4月23日，美国人工智能与存储技术新创企业NEO Semiconductor宣布，其3D X-DRAM技术已完成概念验证。该技术通过垂直堆叠设计提升内存容量，可利用现有3D NAND Flash生产线制造，为AI应用提供高密度、低功耗、低成本的内存解决方案。据介绍，此次概念验证芯片由NEO Semiconductor与中国台湾阳明交通大学产学创新学院合作开发，并在台湾半导体研究所完成流片与测试。测试结果显示，3D X-DRAM读写延迟低于10纳秒，85℃高温下数据保持时间超过1秒（为JEDEC标准DRAM的15倍），位线干扰与字线干扰抗性均超过1秒，综合性能显著优于传统DRAM。NEO Semiconductor表示，该技术通过增加堆栈层数提升容量，首款设计采用230层堆叠实现128Gb核心容量，较当前2D DRAM提升8倍；后续架构可扩展至512Gb容量，单颗芯片容量达传统DRAM模块的10倍。公司预计，基于3D X-DRAM技术，2030至2035年间可实现单颗内存芯片1Tb容量目标，单根双面内存条容量达2TB，服务器内存条容量达4TB，同时成本大幅降低。此外，NEO Semiconductor还推出了基于3D X-DRAM的超高带宽内存架构X-HBM，单层容量512Gb，位宽达32K，较传统HBM带宽提升16倍、密度提升10倍，可提前15年超越行业对HBM8的性能预测。此次概念验证的成功，标志着3D DRAM技术从理论向商业化迈出关键一步，其兼容现有3D NAND产线的特性，为快速规模化量产提供了可能。
