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SK 海力士尝试「以钼代钨」或助力 NAND 性能提升

4 小时前

SK海力士已完成375层NAND闪存生产验证，计划年底前在清州M15工厂量产。该产品原规划400层，因工艺难度调整为375层。其技术亮点在于使用钼材料替代钨制作字线，同等尺寸下钼电阻更低，可加快数据读写速度，提升存储密度。

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