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SK海力士将在年底前量产375层NAND “以钼代钨”有望助力性能提升
2 小时前
6月11日，据韩国科技媒体《THEELEC》报道，SK海力士已完成下一代V10系列375层3D NAND闪存的生产验证，正推进产线转换，计划2026年通过现有工厂升级实现大规模量产，挑战三星电子在超高堆叠技术领域的领先地位。此次技术迭代亮点在于金属布线层材料革新，部分字线由传统钨替换为钼。随着3D NAND向600层以上发展，钼材料有望成为超高堆叠时代的核心关键。
