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消息称三星电子 1d DRAM 有望明年年底初步量产
2 天前
三星电子正与合作伙伴加速研发用于量产第七代10纳米级（1d）DRAM的设备，计划于明年第二或第三季度导入量产设备，并有望最早于明年年底初步量产。1d DRAM的电路线宽为10至11纳米，较目前商用的第六代1c DRAM（11至12纳米）更窄，性能和能效更优，预计将用于2029年商业化的第九代高带宽内存（HBM5E）核心芯片。
