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三星 HBM4E 良率突破 70% 第七代 AI 内存开发进入稳定阶段
2 小时前
2026年7月1日消息，三星电子首席技术官于6月30日在DS部门内部经营说明会上表示，HBM4E可靠性测试良率已提升至70%以上，标志着开发进入稳定区间。同时，下一代10纳米级第七代DRAM工艺（D1d）在技术竞争力上已取得对竞争对手的优势，计划于今年11月完成生产准备认证（PRA）。
