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高温长期运行出现芯片失效 三星8英寸氮化镓晶圆代工产线量产进程受阻
1 天前
三星电子位于龙仁市器兴园区的8英寸氮化镓（GaN）半导体晶圆代工产线在试生产时遇到可靠性问题。部分芯片在100至200摄氏度高温下运行约1000小时后失效，原定今年量产的目标或将推迟。该产线专用于GaN代工，设计月产能为1300至1500片晶圆。近期虽已为多家无晶圆厂客户完成试流片，但后续可靠性验证中问题逐渐显现。
