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SemiAnalysis：NAND 制造正由钨转钼，泛林集团预期将率先受惠
5 小时前
半导体产业研究机构表示，当3D NAND堆叠层数突破约300层后，钼可能取代钨，成为高层数NAND的材料首选。与钨相比，钼在读写速度、制程工艺和填充能力上更具优势。预计2025至2027年，钼在全球NAND总产能中的占比将从个位数中段提升至约30%。到2027年，NAND钼沉积设备市场规模有望超过10亿美元。若DRAM与逻辑芯片也采用钼制程，到2030年，整体钼沉积设备市场的年规模或将达到约20亿美元。在设备供应商中，泛林集团将率先受益，东京电子紧随其后，而应用材料、阿斯麦和北方华创则将更多受益于后续DRAM及逻辑芯片对钼制程的需求。
