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三星拟于2028年前将高NA EUV用于DRAM量产
3 小时前
三星电子与阿斯麦（ASML）宣布深化战略合作。三星将参与推动12英寸光罩技术发展的行业计划，并计划在2028年前首次将阿斯麦的高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术应用于DRAM的大规模生产。三星称，12英寸光罩技术可提升晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本，并减少光罩拼接限制。高NA EUV技术则有望延长DRAM制程的微缩路线，通过更高分辨率简化工艺、提升效率。此外，三星还将与行业伙伴共同开发12英寸光罩技术及相关基础设施。
