2026年9月8日,阿斯麦宣布与台积电、三星电子及英特尔推进高数值孔径极紫外(EUV)光刻技术应用。台积电计划自2030年起将该技术用于先进制程大规模生产,三星则计划不晚于2028年首次将其用于DRAM大规模生产。此外,四家公司还达成光罩技术规格转变协议,将6英寸光罩升级为12英寸,以提高生产效率并降低成本。