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他们让晶体管开关越过 60 毫伏物理红线，芯片功耗迎来新解法
5 小时前
60毫伏的玻尔兹曼极限长期制约着芯片功耗与算力的发展，传统晶体管受此限制，功耗难以进一步降低。香港理工大学与新加坡国立大学联合团队研发出基于铋/硒化铟异质结的隧穿场效应晶体管。该团队通过选择互补材料，在超高真空环境下采用脉冲激光沉积技术，制备出原子级干净的界面，首次同时实现了长区间连续低亚阈值摆幅、高输出电流与高开关比。其I60达到10微安/微米，是IRDS要求的10倍。实验验证，电流输运主要由量子隧穿主导，器件具备可扩展性且与硅基工艺兼容。目前，该器件仍处于实验室阶段，虽需进一步推进工艺集成与可靠性测试，但已突破关键技术，使隧穿场效应晶体管具备与CMOS竞争的潜力，为解决芯片功耗难题提供了有效方案。
